第三代半导体（氮化镓、碳化硅等）、第四代半导体（如氧化镓、金刚石、氮化铝等超宽禁带半导体）、光子芯片、低维半导体信息材料与器件等领域，目前我国已具备较好的国际竞争力。
据第三代半导体产业技术战略联盟官微3月5日消息，今年全国两会，全国人大代表、中国科学院院士郝跃就集成电路产业发展带来相关建议。
郝跃在接受《中国科学报》采访时表示，既要聚焦核心关键的“卡脖子”难题，破解半导体芯片发展中的底层技术瓶颈；更要重视那些我国已处于国际并跑甚至局部领跑位置的领域，通过强化优势，抢占全球产业的前排位置。
“‘十五五’将是我国集成电路产业从跟随转向引领的关键转折期，也是在一些新兴赛道上确立国际领先地位的重要窗口。”郝跃说。
在他看来，第三代半导体（氮化镓、碳化硅等）、第四代半导体（如氧化镓、金刚石、氮化铝等超宽禁带半导体）、光子芯片、低维半导体信息材料与器件等领域，目前我国已具备较好的国际竞争力，只要持续发力，极有可能在细分赛道上实现全球领跑。
郝跃认为，必须结合本土资源与产业基础，围绕后摩尔时代的产业趋势，发挥好我国的独特禀赋。
“我国掌握着全球95%以上的镓资源，且对镓、锗等半导体关键材料已实施出口管制，这是其他国家不具备的产业筹码。”他建议，依托这一稀有资源禀赋，推动化合物半导体、光电显示、新型传感器等产业形成规模化、高竞争力的全球布局。
在新兴存储器领域，郝跃也持相对乐观的判断。他表示，我国在Flash闪存、铁电存储器、磁电存储器（MRAM）、相变存储器（PCM）等方面已有不错的技术积累，在全球已有重要影响，只要持续推进技术迭代和产业化落地，就能牢牢把握主动权。
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